Rasterelektronenmikroskopie

Ansprechpartner:
Dr. Hans Kothe

Mit Hilfe der Raster-Elektronen-Mikroskopie können Oberflächenuntersuchungen an beliebigen Proben durchgeführt werden. Die Oberflächenabbildung erfolgt durch das sukzessive Abtasten mit einem stark gebündelten Elektronenstrahl ("Rastern"). Dabei kann die Oberflächentopologie sehr genau erfasst werden, wobei vor allem die hohe Tiefenschärfe ausgenutzt wird. Insbesondere Bruchflächen können dabei wertvolle Strukturinformationen im µm-Bereich liefern, die auch Aufschluß über die Bruchmechanik selbst ermöglicht.

• Anwendungen:
  • Rasterelektronenmikroskopie von Ober- und Bruchflächen sowie von Pulvern (incl. Probenpräparation)
    • Materialprüfung, z.B. Porenverteilungen in Kunststoffen, Ermüdungserscheinungen von Formteilen, Phasenstrukturen in Blends
    • Beurteilung der Blendmorphologie: Teilchenform und -größe der dispersen Phase, die Ankopplung der dispersen Phase an die Matrix, das Versagensverhalten im Kaltbruch (ko- oder adhäsiv, duktil oder spröde), Homogenität der Teilchengröße
    • Bruchverhalten von Polymerverbundsystemen, Einbettung des Verbundmaterials in die Polymermatrix

Besputtern bzw. Bedampfen beliebiger Oberflächen mit Metallen oder Kohlenstoff nicht nur für elektronenmikroskopische Präperation, sondern auch zur Kontaktierung für Experimente in der elektrischen Messtechnik.